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MOS管的源极和漏极有什么区别

2022-04-11 03:00:00 来源:http://zj.combat-elec.com/news790269.html

MOS管的源极和漏极有什么区别:

一、指代不同

1、源极:简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。

2、漏极:利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极:在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极:将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极。

单向可控硅,MOS管
源极结构原理:

在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。

漏极结构原理:

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


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